EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;

Schneller, empfindlicher Doppel-Fototransistor mit gemeinsamen Kollektor; im schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform. Technische Daten: Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm Empfindlichkeit: 0,13… 1,1 mA @ 0,555 mW/cm², Vce= 5V Öffnungswinkel: k. A. VCE max.: 30V mA VEC max.: 5 V IC max.: 20 mA IC off: 100 nA @ Vce=20 V tr: 15 µsec tf: 15 µsec PVmax: 75 mW @ 25°C Temp. Bereich: -25… 85°C Gehäuse: 4,5 x 4,8 x 2,8 mm mit Seitenlinse 1,5 mm Montage: THT